Estudio de procesos tecnológicos avanzados para la fabricación de dispositivos electrónicos nanométricos mediante técnicas de simulación predictiva

Proyecto VA119G18, financiado por

La tecnología de fabricación de los circuitos integrados de silicio se enfrenta a grandes retos. Para poder continuar durante los próximos años con en el escalado de los dispositivos electrónicos hasta el nodo de 5 nm, se prevé necesaria la fabricación mediante crecimiento epitaxial de capas delgadas de SiGe con alto contenido de Ge. El desajuste de los parámetros de las redes de Si y Ge hace que la obtención de películas atómicamente planas presente dificultades, lo cual afecta negativamente a las características de los dispositivos. Más allá del nodo de 5 nm es posible que la tecnología del silicio ya no pueda ser aplicada de forma efectiva. La Electrónica Molecular surge como una posible alternativa, mediante el diseño y la síntesis de moléculas con propiedades electrónicas específicas que puedan sustituir a los dispositivos convencionales de silicio. Para abordar el estudio de estos procesos tecnológicos se hace fundamental el uso de técnicas de simulación atomística con capacidad predictiva. El modelado atomístico que planteamos en el presente proyecto puede proporcionar una descripción detallada de los procesos y desvelar los mecanismos físicos subyacentes, con el objeto de proporcionar soluciones a los problemas tecnológicos.