PRIMERA PARTE: DISPOSITIVOS UTILIZADOS EN MICROELECTRÓNICA
 

1.- Propiedades electrónicas de los materiales semiconductores
Materiales semiconductores, portadores de corriente, diagrama de bandas
Semiconductores extrínsecos
Estadística del semiconductor en equilibrio termodinámico
Perturbaciones del equilibrio termodinámico
Ecuaciones fundamentales de los dispositivos

2.- La unión P-N
La unión P-N en equilibrio termodinámico
Polarización directa e inversa
Fenómenos de ruptura
 

3.- De la unión P-N al diodo de unión
Diodo varactor
Diodo túnel
Diodos PIN e IMPATT
Diodos electroluminiscente y láser
Fotodiodos y células solares
 

4.- El transistor bipolar de unión
El efecto transistor
Concentración de portadores minoritarios en la base
Cálculo de las ganancias en corriente
Balance de corrientes
Características estacionarias y regímenes de funcionamiento
Modelización del transistor bipolar
Efectos reales
 

5.- La estructura metal-aislante-semiconductor y los dispositivos de carga acoplada
La estructura MIS ideal
La estructura MIS real
Dispositivos CCD

6.- Los transistores de efecto de campo
Familias de dispositivos FET
El JFET
El MOSFET

Segunda parte: Electrónica integrada o Microelectrónica

7.- Arquitectura y concepción de circuitos integrados
Tecnología planar y celdas de aislamiento
Integración de transistores
Integración de elementos pasivos
Interconexiones y puntos de cruce
 

8.- Circuitos integrados lógicos
Familias NMOS y CMOS
Lógicas bipolares saturadas
Lógicas bipolares no saturadas
 

9.- Tecnología de fabricación de circuitos integrados

Elaboracióndel sustrato
Elaboración de capas activas
Definición de la geometría
Metalización
Encadenamiento de operaciones tecnológicas
Reglas de diseño y realización de máscaras